【基板メーカー】Brain Power（ブレインパワー）をご紹介
Brain Power（ブレインパワー）概要
台湾台北市に本社を置くBrain Power (Qingyuan)Co,.Ltd.（ブレインパワー）は、1996年に中国にプリント基板工場を設立。
メモリー製品用回路基板、高周波回路基板、リジッド・フレキシブル基板に特化した大規模基板メーカーとして、先進的な設備を用いたものづくりに携わっています。軽薄短小を特徴とする高精度HDI、FPCを世界中へ提供し、「顧客満足、品質優先、人材育成を行うプロフェッショナル集団」企業理念のもと、業界をリードし続けています。
拠点：中国（広東清遠）、タイ（2025年Q4に量産予定）
Brain Powerの特徴・強み
メモリーモジュール分野に強み
モリーモジュール用基板に特化しており、高密度配線技術とノウハウに基づく最適な回路設計が可能です。DDR4やDDR5モジュール基板において、特に高精度なインピーダンス制御を実現しています。
また、既存基板の改定時にはVA提案によるトータルコストの低減、開発期間短縮実現にも取り組んでいます。
柔軟な製造対応力
両面基板から多層HDI基板、フレキシブル基板、リジッドフレキ基板まで幅広い製品に対応しています。月間生産能力は12万㎡、小ロットから多品種対応が可能であり、設計段階から製造まで一貫してサポートします。
5G通信向け製品での優位性
5G時代の光トランシーバー基板にも強く、800Gや400Gの高速通信デバイス向けに、高多層基板を製造。これにより、高周波通信や低遅延を求める市場に高い対応力を持っています。
品質管理と環境への取り組み
Brain Powerは、ISO9001、IATF16949、ISO45001といった国際的な品質管理認証を取得し、納品検査返品率1%以下、クレーム率1%以下、外観不良率0.5%以下をほこっています。
さらに、廃棄水処理システムを完備し、環境に配慮した持続可能な生産体制を構築しています。また、全自動検査設備を含む高度な品質管理設備を活用し、不良率の低減に努めています。
製品分野
メモリーモジュール基板をメインに、光トランシーバー、SSD、車載関係、コンピューター関係、工業産品など多岐に展開しています。また、中国・台湾をはじめアジア・アメリカなど幅広い市場を席捲しています。
※トナリズムはBrain Power（ブレインパワー）の正規代理店になります。
製品例
メモリーモジュールDDR５
SPEED：4,800～5,600 MT/S &1.1V
| DIMM TYPE | CONFIGURATION | BRAIN POWER No | NOTE |
| U DIMM-NON ECC | 1R×85DP（4GB×64） | B85URCA 1.00 | =0.90 |
| 2R×85DP（8GB×64） | B85URCB 1.00 | =0.90 | |
| 1R×16SDP（2GB×64） | B85URCC 1.00 | =0.90 | |
| SO DIMM-NON ECC | 1R×8SDP（4GB×64） | BA5SRCA 1.00 | =0.91 |
| 2R×8SDP（8GB×64） | BA5SRCB 1.00 | =0.90 | |
| 1R×16SDP（2GB×64） | BA5SRCC 1.00 | =0.90 | |
| U DIMM-ECC | 1R×8SDP（4GB×72） | B85URCD 1.00 | =0.90 |
| 1R×8SDP（8GB×72） | B85URCE 1.00 | =0.90 | |
| SO DIMM-ECC | 1R×8SDP（4GB×72） | BA5S7RCD 1.00 | =0.90 |
| 2R×8SDP（8GB×72） | BA5S7RCE 1.00 | =0.90 | |
| R DIMM-ECC | 2R×4SDP-VP（16GB×80） | BC5RRCA 1.00 | |
| 2R×4SDP-VP（16GB×72） | BC5RRCB 1.00 | ||
|
1R×4SDP（8GB×80） |
BA5RRCC 1.00 | ||
| 1R×8SDP（4GB×80） | B85RRCD 1.01 | ||
| 2R×8SDP（8GB×80） | BA5RRCE 1.00 | ||
| 1R×4SDP（8GB×72） | BA5RRCF 1.00 | ||
| LR DIMM-ECC | 4R×4DDP-VP（32GB×80） | BC5LRRCA 0.50 | |
| 4R×4DDP-FP（32GB×80） | BC5LRRCE |
リジッドフレキ
| 品番 | F2L0316AA | JDL0323AA | L2L0146 | RHL0124AB |
| 層数 | 6 | 10 | 12 | 12 |
| 板厚 | 0.96mm | 1.6mm | 0.8mm | 3.0mm |
| 表面処理 | 金フラッシュ | 金フラッシュ | 金フラッシュ | 金フラッシュ |
| 材料 | FCCL/RF4 | FCCL/FR4 | FCCL/FR4 | FCCL/FR4 |
| 最終製品 | 工業関係 | 工業関係 | PAD | 工業関係 |
| 層構成 | 1+（1-2F-1）+1@ | 3-4F@-3@ | 2+（3-2F-3）+2@ | 1+（4-8F@-4）-1@ |
| THビアー | 200um | 200um | 200um | 250um |
| Microビアー | 100/330 | - | 350um | 100um |
| 最小パターン幅 | 127um | 100um | 50um | 65um |
| Min.line space最小パターンスペース | 127um | 177um | 100um | 150um |
| 備考 | HDI | Air-gap | HDI、EMI | 8L-FPC、Air-gap |
５G向け光トランシーバー基板
高周波材を含む製品要求に適したビルドアップ材料を提供。高多層基板の製造が可能で、フレキシブルな材料・製造に対応します。
| 製品用途 | 通信デバイス | 通信デバイス | 通信デバイス |
| 品番 | XAEAAC1A0 | MLEAA09A0 | 6MMAA37A0 |
| 材料 | M6G | M6G | M7N |
| タイプ | 400G | 400G | 800G |
| インピーダンス | Tolerance ±8% | Tolerance ±8% | Tolerance ±8% |
| 穴銅メーキ/表面銅メーキ | >1.0mil/0.8-1.2mil | >0.6mil/0.8-1.2mil | >0.6mil/-1.2mil |
| 板厚&±差 | 1.0±0.1mm | 1.0±0.1mm | 1.0±0.1mm |
| 表面処理 | whole board EPENING | whole board EPENING | Gold plating+ENIG |
| レジストタイプ | PSR-2000 CD11G-HF/green | PSR-2000 CD1/green | PSR-2000 CD1/green |
| C面シルク/S面シルク | Inject printing legend | Inject printing legend | Inject printing legend |
| PCS寸法（inch） | 2.2835"*0.6465" | 2.8795"*0.6465" | 2.2165"*0.6465" |
| Bonding PAD to 外形ライン | 2mil | +/-3mil | +/-3mil |
| パターン | Min line width&space 2.4/3.2mil | Min line width&space 2.4/3.2mil | Min line width：3.2mil |
| その他 | Depth control routing、POFV、bonding pad | Inner/outlayer POFV、bonding pad | Core+Core lamiantion |
ICS基板
急速に拡大を続けるスマートデバイス市場では、製品のさらなる小型化・薄型化・軽量化のニーズが高い中、5Gの登場で高速・低遅延・大容量通信が可能となりIoTやAIなどの最新テクノロジーの活用が進んでいます。
それに伴いデータセンターの需要拡大が加速している中、Brain Power（ブレインパワー）では小型・薄型基板から高周波対応基板までの様々な製品を提供し、お客様の声にお応えしています。
基板仕様
・基板寸法: 3*3mm up to 23*23mm
・板厚: 0.10mm-0.56mm
・ボールピッチ: 0.8mm, 0.65mm, 0.5mm, 0.4mm
・Min. L/S: 30/30um
・層構成: 2 layers 〜6 layers
・Structure; single die, multiple die, POP, Embedded Active Die
製品用途
・Digital baseband デジタルベースバンド
・Power management 電源管理
・Graphic processorグラフィックプロセッサ
・Multimedia controllerマルチメディアコントローラー
・その他高密度実装や高信頼性が必要な製品
基板仕様
・基板寸法: 15×11 - 32×24 mm×mm
・Min. L/S: 35/35um
・層構成: 2 -4layers
・板厚(Min) :0.13mm
・そり基準:≤5um
・シルク:green/black
・Soft Gold and Hard Gold on each side
・Low CTE 基材:HL-832NX,DS-7409HGB,AMC-832HF
製品用途
メモリーカード(Mobile/PDA/GPS/Pocket PC/NB)
スマートデバイス向け
・極薄基材の採用により、2&4層構造:厚み0.13mmの薄さを実現
・製品要求に最適な製造工法(MSAP法)が可能
・小径ビア形成・微細配線技術による高密度基板を提供
基板仕様
・基板寸法: 12*18mm
・板厚(Min): 0.5mm min
・層構成: 6layers
・外層L/S(Min): 30/30um
・IVH穴径: 0.1mm
・表面処理:Ni/Au;Ni/Pd/Au
製品用途
lCPU, MCU
特⻑
・先端クラスの微細配線ルールで配線幅/間隙:30μm/30μmを実現
・レーザーによる小径ビア形成で高密度配線を実現
・信頼性に優れた熱硬化性エポキシ樹脂を採用
・実装ニーズに合わせた表面処理への対応が可能(Ni/Pd/Au、Solder pre-coat、etc)
・鉛フリー、ハロゲンフリーなどのグリーン仕様にも対応
※トナリズムはBrain Power（ブレインパワー）の正規代理店になります。
