CMOSとは? 基本構造や特徴、動作原理、TTLとの違いを解説
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半導体技術のCMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)は、デジタル回路やアナログ回路の基盤として広く採用されています。低消費電力・高集積度・高速動作という特性を持ち、スマートフォンやパソコン、IoTデバイス、ラジオ、デジタルカメラのイメージセンサなどで活用される技術です。
本記事では、CMOS技術の基本構造や動作原理、特徴について解説します。CMOSと他のデジタル回路技術であるTTLとの違いについても触れていきます。
CMOSとは? 基本構造について
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)とは、日本語で「相補型金属酸化膜半導体」と訳される半導体技術です。主に集積回路(IC)の製造に用いられています。
CMOSは、以下の2種類のMOSFETを組み合わせたものです。お互いに補い合うよう組み合わせることで、効率的なスイッチング動作を行います。
PMOSトランジスタ(P型MOSFET):P型半導体で動作し、電圧が低いときにオンになる
NMOSトランジスタ(N型MOSFET):N型半導体で動作し、電圧が高いときにオンになる
このように、片方が働いている間はもう片方が休む(電流を流さない)ことで、短時間しか電流が流れないため、消費電力の無駄を減らし効率的に動作します。
特にバッテリー駆動のデバイス(スマートフォンやIoTデバイスなど)に最適です。例外として、高速スイッチング時には消費電力が増加する場合もあります。
CMOSインバータの基本動作
最も基本的な回路であるCMOSインバータ(NOTゲート)を例に動作について解説します。CMOSインバータとは、入力信号を反転する機能を持つ電子回路の1つです。
■入力信号が「0」(低電圧)の場合
N型MOSFET:オフ(切断状態)
P型MOSFET:オン(接続状態)
電源電圧が出力に流れ、出力は「1」(高電圧)になります。
■入力信号が「1」(高電圧)の場合
N型MOSFET:オン(接続状態)
P型MOSFET:オフ(切断状態)
出力はグランド(GND)に接続され、出力「0」(低電圧)になります。
この動作により、出力が入力の反転となるインバータが構成されます。
スイッチング動作
CMOS回路は、入力信号が切り替わる瞬間(スイッチング時)にのみ電流が流れるため、動作中以外の消費電力がとても少ないという特徴があります。
静的状態(入力が固定されている場合):一方のトランジスタが完全にオフになるため、電流はほとんど流れません
動的状態(入力が切り替わる瞬間):回路の容量(寄生容量)を充電・放電するための電流が流れます
このスイッチング時の電流がCMOS回路の主な消費電力です。
CMOSの特徴
CMOSは少ない消費電力で動作すること以外に、以下のような特徴もあります。
高い集積度で高速動作が可能
CMOSは小さなトランジスタを大量に集積できるため、複雑な機能を小さなチップ内に詰め込めます。微細化技術の進化により、数十億個のトランジスタを1つのチップに収めることが可能です。
トランジスタのスイッチング速度が速いため、高性能なプロセッサや高速データ通信に適しています。
信号の正確性
CMOS回路は、ノイズ耐性が高く、信号の「0」と「1」を明確に区別できます。この特性により、デジタル回路において信頼性の高い動作が可能です。
コスト効率が良く、多くの用途で利用可能
CMOSは大量生産に向いており、製造コストが比較的低いため、広範なデバイスに採用されています。
CMOSは、デジタル回路のロジック回路、マイクロプロセッサ、メモリ、アナログ回路のセンサ、アンプに利用されています。特に、CMOSイメージセンサはスマートフォンやデジタルカメラの主要技術となっています。
温度特性
CMOS回路は広い温度範囲で安定して動作しますが、高温になるとリーク電流が増加する場合があり、設計上の考慮が必要です。リーク電流とは、トランジスタがオフ状態にあるときに流れる不要な電流のことです。
環境への配慮
CMOS技術は低消費電力のため、環境負荷が小さく、エネルギー効率の高いデバイスの開発に貢献しています。
CMOSとTTLの違い
TTL(Transistor-Transistor Logic)とは、バイポーラトランジスタを使って論理ゲートを構成するデジタル回路の設計技術の一種です。
1950年代後半から1970年代にかけて広く利用されていましたが、現在ではCMOS技術が利用されることが多いです。しかし、現在も一部の産業用制御機器やレトロなシステムで活用されています。
CMOSとTTLの違いを以下にまとめました。
CMOS | TTL | |
動作原理 |
MOSFETを使用 PMOSとNMOSが相補的に動作 |
バイポーラトランジスタを使用
|
消費電力 |
静的時はほぼ消費しない スイッチング時のみ電力を消費 |
常に一定の電流を消費 消費電力はCMOSより高い |
動作速度 | 高速 |
比較的遅い(高速TTLシリーズもあり) |
電圧範囲 | 広い(約1.8V~15V) |
狭い(通常5Vで動作)
|
入力インピーダンス |
高い 負荷が軽い |
低い 複数接続で負荷が増加 |
集積度 |
高い 数十億個のトランジスタを1チップに搭載可能 |
低い |
温度特性 | 比較的強い | 温度変化に弱く、高温で動作が不安定になる場合あり |
製造コスト | 微細化技術により低コスト(大量生産向き) |
初期コストは低いが、大規模回路には不向き
|
主な用途 | スマートフォン、PC、IoTデバイス、イメージセンサ |
初期のコンピュータ、産業用制御、教育用実験キット
|
メリット |
・低消費電力 ・高速動作 ・高集積度 |
・シンプル設計 ・信頼性が高い ・初期コストが低い |
デメリット |
・微細化によるリーク電流の課題 ・製造技術依存 |
・高消費電力 ・動作速度が遅い場合がある |
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